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射频离子源RFICP380辅助磁控溅射制TiSiN-Ag薄膜

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  • 发布日期:2021-03-19 13:42
  • 有效期至:长期有效
  • 招商区域:全国
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详细说明
  为了研究 Ag 元素对 TiSiN 薄膜结构及性能的影响, 江苏某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射法制备了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 纳米压痕仪, UMT-2 摩擦磨消耗仪和 BRUKER 三维形貌仪对薄膜的成分/ 微结构/ 力学性能和摩擦磨消耗性能进行了研究

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

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射频离子源型号

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RFICP380

portant;">

Discharge 阳极

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射频 RFICP

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离子束流

portant;">

>1500 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

30 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦, 平行, 散射

portant;">

流量

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15-50 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

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典型压力

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< 0.5m Torr

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长度

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39 cm

portant;">

直径

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59 cm

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中和器

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LFN 2000

  

Ti N 薄膜是金属氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化学稳定性强等优点, 作为工模具耐磨涂层已得到了广泛的应用, 但其硬度和抗氧化性能有待进一步加强. 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 当 Si 含量为 21.28% 时 Ti Si N 薄膜的氧化温度为800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系数在 0.65 左右, 摩擦性能需要进一步提高.  Ag和Au等贵金属在室温和中温范围内具有良好的润滑性, Ag 掺入耐磨涂层中可以改善其摩擦磨消耗性能.  

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
 

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